什么是藍(lán)寶石上硅(Silicon on Sapphire : SOS) 技術(shù)

藍(lán)寶石(Al2O3單晶)襯底上生長硅薄膜(外延生長)的技術(shù)。對于使用了該薄膜的硅半導(dǎo)體應(yīng)變片，電阻絲本身和藍(lán)寶石襯底之間的接合為原子級別，構(gòu)成物理和電氣特性極其穩(wěn)定的理想的傳感器。

高精度
藍(lán)寶石作為隔膜材料屬于氧化鋁單晶，響應(yīng)性高，直線性和磁滯特性極其優(yōu)異。

高可靠性
硅半導(dǎo)體和藍(lán)寶石襯底之間的接合為原子級別，因此具有極其穩(wěn)定的特性和高可靠性。負(fù)壓側(cè)的負(fù)載特性與正壓側(cè)可保持相同水平，因此可測量高精度的復(fù)合壓。

高耐熱性
普通的硅襯底通過PN結(jié)合進(jìn)行電氣隔離，120℃以上的高溫時(shí)，結(jié)合部分的漏電流增大，無法用作傳感器。
SOS技術(shù)中的藍(lán)寶石襯底本身即為高絕緣體，即使在350℃的高溫環(huán)境下也可用作傳感器。（NS403/NS413系列）
※PN結(jié)合： p型半導(dǎo)體與n型半導(dǎo)體的結(jié)合

SOS傳感器采用直壓式
靈敏度部分直接接液，最大限度發(fā)揮SOS傳感器優(yōu)異響應(yīng)性的直壓式。(放大器內(nèi)置型的響應(yīng)性為1kHz)。未設(shè)置耐腐蝕的隔膜，酸、堿、鹵素等壓力介質(zhì)時(shí)可能無法使用。

放大器內(nèi)置壓力傳感器(箔應(yīng)變片式)

配備ASIC（Application Specific I.C.）放大器，受溫度影響較小，抗干擾性優(yōu)異的高功能型壓力傳感器。采用消耗電流較低的應(yīng)變片和結(jié)構(gòu)、材質(zhì)的機(jī)械性能優(yōu)異的隔膜，精度和穩(wěn)定性高。

高精度、高可靠性
17-4PH(SUS630)的彈性體(隔膜)使用新開發(fā)的低消耗電流、自動溫度補(bǔ)償型應(yīng)變片，精度和可靠性高。

溫度特性大幅提高
溫度補(bǔ)償范圍內(nèi)(-20℃～70℃)時(shí)具有±1.0%F.S.以內(nèi)的溫度特性（與溫度變化無關(guān)），包括溫度特性在內(nèi)的綜合精度大幅提高。

高穩(wěn)定性
壓力靈敏度部分(隔膜)為壓力導(dǎo)入口和切削部分一體化的結(jié)構(gòu)，保持優(yōu)異的抗疲勞性。
公司內(nèi)部進(jìn)行評估時(shí)，經(jīng)150%F.S.壓力下的循環(huán)試驗(yàn)（100萬次），試驗(yàn)前后的變化量為±0.3%F.S.以內(nèi)。

電氣特性
電路具有幾乎不受外部干擾成分等影響的特性。

SOS式壓力傳感器(半導(dǎo)體應(yīng)變片式)

通過SOS技術(shù)實(shí)現(xiàn)的高精度、高可靠性、高耐熱性等與以上壓力傳感器相同。與另置的放大器(CSA-522)連接時(shí)，響應(yīng)性為25kHz。

壓力傳感器(箔應(yīng)變片式)

提供普通用、高壓用、高響應(yīng)用、高/低溫用的各種壓力傳感器。

溫度特性優(yōu)異的應(yīng)變片式
受壓部分已使用自動溫度補(bǔ)償?shù)膽?yīng)變片。測量過程中溫度發(fā)生變化時(shí)幾乎不受影響，可準(zhǔn)確檢測壓力。

備有低壓用和高壓用的各種類型
備有低壓用(最小1MPa)和高壓用(最大500MPa)的各種類型，最適合用途的傳感器可供選擇。

始終跟隨動壓現(xiàn)象
根據(jù)金屬隔膜的固有頻率，始終跟隨動壓現(xiàn)象。(響應(yīng)性大致為固有頻率的1/3。)